在UV-LED形成大规模工业之前,还需要国家的引导和支持,以便在核心技术方面取得先机。海内在紫外LED的装备、材料和器件方面都有了一定的积累,目前正在积极的向应用模块发展。
。而且跟着技术的发展,新的应用会不断泛起以替换原有的技术和产品,紫外LED有着广阔的市场应用远景,如紫外LED光疗仪是未来很受欢迎的医疗器械,但是目前技术还处于成长期。
日本凭借其在蓝光LED领域的先发上风,在UV-LED方面的进展举世瞩目。与蓝光不同,目前紫外LED正处于技术发展期,在专利和知识产权方面限制较少,有利于占领、引领未来的技术制高点。 需解决的技术挫折是蓝宝石衬底上高质量AlN模板的MOCVD外延生长；AlGaN量子阱的发光机制研究与结构控制技术；P型高Al组分AlGaN掺杂技术研究；紫外LED出光效率进步技术；深紫外LED的器件工艺和封装技术；深紫外LED的应用模块研制等。
未来主要研究目标是研究高质量的深紫外材料外延生长技术；高Al组分AlGaN材料生长技术和掺杂技术；深紫外LED结构设计；波长300nm以下LED器件芯片制作工艺和封装技术；面向医疗、杀菌和净化应用领域的紫外光源模块开发和应用。
深紫外LED(UV-LED)主要应用在生物医疗、防伪鉴定、净化(水、空气等)领域、计算机数据存储和军事等方面。尤其是日亚公司,在365nmUV-LED的研究上遥遥领先；美国在深紫外的研究方面领先,但是近年已经被日本超越；我国台湾和韩国起步相对较晚,在该领域也取得了一些进展；海内在该领域近年来发展很快。